英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9西门子S120变频器

英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9西门子S120变频器

1700V IHMB 190mm 单开关 IGBT 模块，配有四代沟槽栅/场终止 IGBT

北京京诚宏泰科技有限公司销售供应英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9西门子S120变频器

特征描述

• 提高工作温度Tvj op

• 低开关损耗

• 低 VCEsat

• Tvj op = 150°C

• 4kV 交流 1 分钟绝缘

• 封装的 CTI > 400

• 高爬电距离和电气间隙

• 铜基板

• UL 认证

优势

• 高功率密度

• 标准封装

产品技术参数   北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块FZ2400R17HE4P_B9西门子S120变频器

IGBT

IGBT是什么？

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。北京京诚宏泰科技

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。

• 优点：热稳定性好、安全工作区大。北京京诚宏泰科技

• 缺点：击穿电压低，工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。北京京诚宏泰科技

• 特点：击穿电压可达1200V，集电饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

• 电动机

• 不间断电源

• 太阳能面板安装

• 电焊机

• 电源转换器与反相器

• 电感充电器

• 电磁炉

FF400R12KL 4C

FF600R 12KF4

FF600R12KL 4C

FZ800R12KF4

FZ800R12KF5

FZ800R12KL 4C

FZ1 200R12KE3

FZ1200R12KE3 S1

FZ1800R12KF4

FZ1800R12KL 4C

FZ2400R12KF4

FZ2400R12KL4C

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绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated-gate bipolar transistor)在现代电力电子技术中应用广泛，在某些单个器件性能达不到设计要求的工作场合，IGBT的并联使用成为一种经济可行的方法。多模块IGBT并联应用可以简化电路结构，增大变流器输出功率，提高装置功率密度。IGBT并联应用过程中，器件本体的动、静态特性及结温的差异，驱动电路结构及功率回路不对称性，伴随IGBT长期使用出现的老化或失效等问题，都会引起并联IGBT支路电流的不均衡，影响系统的可靠性和稳定性。对国内外IGBT并联应用所关注的研究热点进行了调研分析总结了IGBT并联动、静态电流不均衡产生的原理及影响，分析了电流均衡控制原理的差异。从功率回路均流控制和驱动回路均流控制两个方面，对IGBT并联应用均流控制的工作特峰性进行了分析总结和技术对比，并对IGBT并联均流技术的发展方向进行了展望。